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    量產用刻蝕設備NE-5700/NE-7800是可以對應單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設備。

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    枚葉式PE-CVD設備CME-200E/400是最適用于Si系絕緣膜、barrier膜等成膜的量產用PECVD設備。

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    可對應低速高濃度的離子注入設備SOPHI-30

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    高密度等離子刻蝕裝置ULHITETM NE-7800H

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    高密度等離子客戶裝置ULHITE NE-7800H是對應刻蝕FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高難度刻蝕材料（強電介質層、貴金屬、磁性膜等）的Multi-Chamber型低壓高密度等離子刻蝕設備。

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    高能對應離子注入設備SOPHI-400

    SOPHI-400

    最大可對應至2400keV的高能離子注入裝置。

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    研究開發用中電流離子注入設備IMX-3500

    IMX-3500

    中電流離子注入裝置IMX-3500為最大能量200keV、對應最大晶圓尺寸8 inch的離子注入裝置，適用于大學等機構的研究開發。

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