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• 高能對(duì)應(yīng)離子注入設(shè)備SOPHI-400
  

  最大可對(duì)應(yīng)至2400keV的高能離子注入裝置。

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  • 產(chǎn)品特性 / Product characteristics

  • • 枚葉式

    • 可對(duì)應(yīng)薄片Wafer
    • 平行Beam
     
  • 產(chǎn)品應(yīng)用 / Product application

  •  •       功率器件相關(guān)薄片基板工藝、IGBT工藝

     
  • 產(chǎn)品參數(shù) / Product parameters
  • • 基板尺寸：Max200mm
    • 最大能量：2400 keV
     

     

• 產(chǎn)品系列

  • 設(shè)備(按類型分)
    蒸發(fā)設(shè)備 退火設(shè)備 蒸餾設(shè)備 氦檢漏設(shè)備 凍結(jié)干燥設(shè)備 卷繞設(shè)備 真空爐 CVD設(shè)備 離子注入設(shè)備 去膠設(shè)備 濺射設(shè)備 刻蝕設(shè)備 其他
  • 設(shè)備(按用途分)
    FPD&PV設(shè)備 半導(dǎo)體設(shè)備 電子設(shè)備 產(chǎn)業(yè)機(jī)器
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