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• 半導體制造設備的濺射靶材
  

  先進的薄膜材料，ULVAC的半導體用靶材，以
  ?低particle
  ?均勻的薄膜厚度分布
  ?使用效率高
  作為品質目標，對每種材料研討制造方法，進而開發制造的高品質濺射靶。
  

  購買咨詢

  若想了解更多請致電182-2185-4021

  • 產品特性 / Product characteristics

  •  • 采用最合適制造方法的濺射靶

    ULVAC為了滿足半導體工藝所需的各種要求，采用合適的制造方法，進行靶材的開發和制造。

    • 抑制particle發生的濺射靶
    濺射中發生問題，ULVAC開發了抑制particle發生的濺射靶。特別是，根據在Al靶的精煉和鑄造過程中采用的真空溶解法，我們正在努力減少氧氣等氣體成分，因為這是particle產生的原因之一。
    • 通過金屬結構調整實現高均勻性
    ULVAC的高純度鈷靶和鈦靶開始，大多數半導體靶材采用的制造工藝，注重精細和均質化的冶金結構。比如，在高純度鈷靶中，通過金屬結構的精細和均勻化，使靶材表面上的漏磁通量偏差最小化。
    • 完全的品質管體體制
    我們ULVAC考慮對產品的特性和形狀，貫徹始終地進行制造。
    • 通過金屬結構調整實現高均勻性
  • 產品應用 / Product application

  • 鎢靶的GDMS分析結果

    

     

    半導體設備用的濺射靶材

    

    主要300mmWafer用靶材

    

  • 產品參數 / Product parameters
• 產品系列

  • 設備(按類型分)
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  • 設備(按用途分)
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