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• 可實現自動連續高溫處理注入
• 1價離子可注入至350keV、2價離子可注入至700keV
(Option:1價離子可注入至430keV、2價離子可注入至860keV)
• 通過Dual-End-Station(雙工位)實現高產能;
(A系4"高溫ESC/B系3"高溫ESC、A系6"高溫ESC/B系6"常溫ESC等等,可配合客戶的希望就行規格配置)
• 可減輕操作員的負擔
• 緊湊式設計
• 可大范圍對應從試作到量產的各類需求
• 對應SiC的離子注入裝置。